在9月8日开幕的第二十五届中国国际投资贸易洽谈会上，商务部、国家统计局和国家外汇管理局联合发布的《2024年度中国对外直接投资统计公报》显示，2024年我国对外直接投资净额为1922亿美元，比上年增长8.4%。

　　数据显示，我国企业投资规模继续位居世界前列。2024年中国对外直接投资占全球份额的11.9%，较上年提升0.5个百分点，连续13年列全球前三，连续9年占全球份额超过一成。

　　公报表明，我国企业境外投资分布广泛，年度经营状况良好。截至2024年底，我国3.4万家境内投资者共在全球190个国家和地区设立境外企业5.2万家，七成境外企业盈利或持平。对亚洲、拉丁美洲、欧洲和大洋洲的投资持续增长，对共建“一带一路”国家直接投资增长超两成。

　　投资领域多元。公报显示，2024年，我国对外直接投资涵盖了国民经济的18个行业门类，其中流向批发零售、租赁和商务服务、制造、金融、采矿五领域的投资均超过百亿美元，累计占比超过八成。

曹德旺，出生于1946年5月，福建省福州人，福耀玻璃工业集团股份有限公司创始人、董事长。

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本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。

DenuvOwO攻破了最新版本的《赤色沙漠》（1.00.03）、《生化危机：安魂曲》（22277314）和《怪物猎人：荒野》（22195748）。现在这些游戏都拥有了最新版本的虚拟机管理程序，并符合CS.RIN社区对虚拟机所采用的安全标准。

目前尚不清楚该组织的后续计划，但截至目前，他们几乎已经更新了所有游戏的虚拟机攻破程序（仅剩《原子之心》《阿凡达：潘多拉边境》和《侏罗纪世界：进化3》尚未更新），因此DenuvOwO很可能很快就要开始新一轮的攻破行动了。

• 游戏类别：冒险解谜
• 游戏大小：74.16M
• 游戏语言：简体中文
• 游戏版本：v0.5.0

在幻想少女公会游戏中玩家们可以搭配各种不同的阵容进行游玩，部分新手玩家不知道成长流应该如何搭配，下面就为大家带来幻想少女公会游戏中新手成长流的搭配推荐分享，有需要的玩家可以参考。

幻想少女公会新手成长流搭配

圣剑之灵【战士】，前排抗伤输出。

水晶菇娘【法师】/林中仙女【牧师】，中排续航辅助。

古树妖精【法师】，后排输出。

圣剑之灵作为新手赠送的人气角色，拥有优秀的坦度和爆发能力，配合成长流的血量加成，肉的同时伤害还高！

林中仙女是成长流核心的治疗辅助，可防止圣剑之灵在低血量的的时候暴毙，以及提供友方数量加成，提高圣剑之灵的输出能力；

古树妖精则提供支援加成和前期的副DPS。

前期林中仙女无法选择心愿较难获得，可用水晶菇娘代替，能为其他队友提供大量魔力，让圣剑之灵爆发更高，后期如果有更优秀的高阶输出角色可替换古树妖精。

核心装备与支援选择

在解锁了铁血高地地图后，可根据自身情况替换上位装备：

推荐符文

血石符文

【适配角色】圣剑之灵，

受到攻击后自身获得生命，刷取地图：广袤草原。

魔晶符文

【适配角色】林中仙女

释放技能后使自身获得魔力，刷取地图：废弃矿洞。

推荐天赋

圣剑之灵

林中仙女